【公司介绍】
晶科能源目前具有三个明显优势：
1、晶科能源全球化程度领先，组件出货连续四年居于冠军宝座，海外销售占比80%以上。有行业领先的品牌和渠道，并在多个主流市场市占率排名第一。
2、垂直一体化程度的领先。第一个五年公司就建立了一体化产能。去年底硅片、电池、组件产能分别达到32.5/24/40GW，N型电池产能规模投产进一步提升一体化率，同时还将建成7GW海外垂直一体化。
3、技术领先。公司2019年开始topcon产能布局，各项工艺都得到了验证，去年10月，公司Topcon电池转换效率达到25.4%，第四次打破纪录。规模量产效率已经达到24.5%，良率接近perc，一体化成本也与perc基本持平，未来有技术储备可以持续提效降本。组件环节，公司去年11月应用了topcon的旗舰产品Tiger Neo，凭借低衰减、低温度系数、高双面率可以帮助用户提高3%的发电，同时少占地的特点也更适用于集中式电站的需求。产能方面，晶科能源在今年1、2月分别于合肥、尖山分别投产8产能，各项指标均符合预期，有望实现提前瞒产。得益于N型组件产能的快速提升，全年出货有望达到10GW，海外分销市场目前供不应求，国内大型地面电站也陆续有N型产品中标，N型产品也是凭借着优异的性能，综合溢价表现也是符合预期的。
【Q&A】
Q：合肥、尖山产能情况？技术指标以及后续扩产计划？
目前公司合肥、尖山一期项目对外公告均是8GW产能，合计16GW。合肥今年1月投产，尖山项目2月投产。合肥和尖山都比预期达产时间提前了2-3周。
产线效率、良率方面，已经交付的产线效率是24.5%以上，良率已接近perc，比perc略低一点点。公司后续电池片扩产都是以Topcon为主。
Q：市场传闻晶科topcon组件的ctm指标不是特别好，实际情况怎么样？
我们没有发现这个情况，可能是一些人看到我们不同的数据来源，CTM根据组件版型的不同是各不相同的，双玻的CTM就会明显低于单玻。我们内部都是单玻组件作为衡量指标的。Topcon的CTM已经接近perc正常水平，并不存在topcon的ctm明显比perc低的情况。
Q：硅片电池+组件相比perc的成本差异？
目前Topcon产能还在爬坡阶段，电池成本会稍微高一点，量产爬坡完成后N、P同成本就可以达成。Topcon组件功率比perc高几个挡位。 成本方面，组件功率高带来的单瓦成本下降。第二，N型硅片再单片功率也比P型高，N型硅片也可以做到更薄，这两个方面加起来在硅片环节也会有优势。 电池制程复杂一点，N型比P型有大概几分钱左右的劣势，从而构成了一体化成本基本一样的结论。
Q：国内组件也在陆续招标，有明显的溢价，国内外合理溢价水平？
定价方面，我们是和客户公分利益的，会考虑到客户的利益。
Q：LPCVD取得了更快的进步，如何定性地说明解决绕镀的方式？
我们的解决方式更多的不是传统的背靠背的方式插片，就是一片一片，没有背靠背的方式插片，背面形成了比较均匀的膜层。我们通过后续化学方法的处理，可以把膜层更好处理掉，不会有绕镀残留。
之前会有很多顾虑，担心影响产能。我们通过压缩炉管运作时间，扩大作业设备的产能，极大地缓解了产能对成本的影响。产能影响对成本影响很小，所以我们是在行业内率先解决了绕镀问题。
Q：公司效率目标如何？
晶科topcon电池片效率预计每年提升0.5%。也说明了我们有相应的技术储备能力。
Q：按照72版型估算，单玻为例，可以做到570W，估算是否正确？
如果是说大版型，相比于PERC的功率领先接近20W是可以做到的。
Q：N型硅片环节硅料比较贵，非硅拉棒数量，硅成本来看，减薄后单瓦成本怎么看？
硅片环节可以做到N型比P型领先。主要一方面是通过减薄，另一方面N型棒长可以拉的更长，出片数也会更多。
Q：公司Topcon良率如何？
公司最早的海宁900MW的N型产线，良率和perc一样。爬坡中的产线，还差1- 2个月彻底交付生产，良率和perc只有微小的差距。
高温导致的问题，核心还是放片的方式。高温会导致破片增加，但是我们在高温过程中运用的是横插片的方式，载具和片子的接触点比较多，就减少了高温产生的不良的影响。
Q：公司的Topcon产能预留了哪些设备和工艺提升效率？
我们确实预留了很多升级空间，是能够保证明年后年各提升0.5%的。但目前技术细节处于保密阶段。
Q：激光设备应用情况？硼扩、开槽、丝印是否都有应用？有没有可能的激光设备的应用？
第一代的topcon电池技术现在是没有的。未来激光是一个非常有技术含量的工序，我们肯定是在做相关的开发和研究，在进行开发和储备。 激光肯定是会应用的，时间点不会放到非常长的维度上，现在技术进步很快。
Q：182版型组件的功率是多少？
按照CTM接近的话，我们应该是570W，我们现在主流是565W附近。平均565W，少量560W、570W。
Q：Topcon是温度比较高的工艺，薄片化之后会不会影响到良率？
大家认为高温会影响良率，我们主要通过横插片，使得夹具和片子的接触点变多，降低了高温对良率的影响。
Q：一套topcon产线投资额？未来是否还有下降空间？
和perc产线投资差额在20%左右，预计还有非常大的下降空间。预计未来单GW 资金投入会进一步降低，我们可以通过一些环节上优化工艺的方式，把工艺时间 进一步缩小，所以单GW的投资成本会进一步下降。
Q：公司后续的降成本目标？
稳定量产前提下，是做到和perc成本持平，预计今年年底、明年上半年，N型产 线会比P型产线低1分钱以上。2年左右的时间，会进一步下降，达到3分钱以上 的成本领先。主要的成本下降主要是靠提高效率，明年功率扩大到4-5个挡位， 后年会扩大到6个挡位，成本自然会下降。 另外就是银浆的节省、新技术的导入方面。
Q：银浆的节省上，量产线银浆耗量情况？2-3年能降到什么水平？
可以看到我们N型和P型的银浆不是1：2的关系，我们N型比P型增加控制在了 50%以内。
未来银浆降本，我们认为后续的新技术也会进一步出现。未来颠覆性技术出现， 银浆耗量会进一步下降，而且因为N型是两面银浆，成本降幅会更大。
Q：核心设备的LPCVD后续是怎么考虑的？改造技术如何？
目前我们还是在用LPCVD，产能可以进一步做大，成本可以进一步降低。我们 也在PECVD、PEALD，我们看到POLY层和氧化层的生长，LPCVD成膜的均匀 性和致密性是最好的，目前LP还是占据一定优势。未来PECVD、PEALD能否进 一步进步甚至超越LPCVD，我们也在进一步验证。
Q：效率如何进一步做高？
预计后续每年提升0.5%的水平。不管是SE的结构，还是双面poly，都在我们的 路线图当中。
Q：硅片减薄是会在今年6月满产以后导入，还是逐步推进的过程？预期能做到 多薄？
实际量产都已经在150μm以内的硅片了，每减10μm，大概对应2分5左右的成 本水平。预计未来3年左右时间进一步下降。
Q：夹具改进的壁垒高吗？
这也是我们前期的核心壁垒。在topcon开发过程中，壁垒非常多，从开始的硅 片，到电池到组件，各环节工艺都是独特的，包括独特的设备，以及最新的工 艺。所以工艺的壁垒不是一处，而是方方面面。所以我们会在相当长的时间，保 持一定技术壁垒。
Q：topcon组件相比于perc组件的成本差距如何拆分？
组件、硅片都会领先perc大概1-2分，电池大概比perc高2分钱。
Q：Topcon的硅片能做到150，是因为N型硅片的优势，还是拉棒工艺可以做 到硅片更薄？
高温的工艺上，有特殊的横放的夹具的优势。
Q：整个行业topcon行业的硅片的厚度下降的空间？
预计未来厚度会进一步下降，只要是相应设备顺畅度调试好，都能做到，不是一 个真正的壁垒。 更多纪要关注：深圳财富club
Q：HJT和PBC的技术储备情况？
Q：HJT有个微晶化技术，这个技术可以用在topcon上吗？
Q：组件端有没有设备需要更换？
Q：现有串焊设备对厚度减薄有没有不利影响？
Q：topcon和perc相比发电性能如何？
Q：激光掺硼设备对topcon效率提升有明显的效果，这块公司认证情况怎么 样？
Q：激光在光伏应用的设备商并不多，我们和国产激光设备商合作的情况怎么 样？怎么避免设备商造成的技术扩散？
Q：现在是24.5%左右的量产效率，后续提效除了激光掺硼以外，有没有其他的 技术手段？往后继续提升的路径？
?$晶科科技(SH601778)$? ?$隆基股份(SH601012)$? ?$晶澳科技(SZ002459)$?
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